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晶体管
DMN53D0LQ-13参考图片

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DMN53D0LQ-13

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库存:58,091(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2.7685
2.7685
10
¥1.9097
19.097
100
¥0.79891
79.891
1,000
¥0.54579
545.79
10,000
¥0.3616
3616
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
50 V
Id-连续漏极电流
500 mA
Rds On-漏源导通电阻
1.6 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
800 mV
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
600 pC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
540 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
DMN53
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
11 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2.5 ns
工厂包装数量
10000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
19 ns
典型接通延迟时间
2.7 ns
单位重量
8 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥11.8311
10:¥9.7632
100:¥7.4806
500:¥6.4297
1,000:¥6.0907
3,000:¥5.6387
参考库存:182530
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 80Vcbo 65Vceo 5.0Vebo 100mA
1:¥3.2996
10:¥2.3843
100:¥1.3673
1,000:¥0.99892
3,000:¥0.86106
参考库存:7812
晶体管
MOSFET N-Ch Enh Mode FET 60V 20Vgss 1.2A
1:¥2.3052
10:¥1.5933
100:¥0.66896
1,000:¥0.45313
10,000:¥0.30736
20,000:查看
参考库存:48869
晶体管
MOSFET Nch+Nch 60V Vds 5A 0.055Rds(on) 8Qg
1:¥7.458
10:¥6.3054
100:¥4.8364
500:¥4.2827
1,000:¥3.3787
2,500:¥2.9945
参考库存:28576
晶体管
MOSFET P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
1:¥10.5316
10:¥9.379
100:¥7.6727
500:¥6.0116
3,000:¥4.1923
6,000:查看
参考库存:489178
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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