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晶体管
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BSC032NE2LSATMA1

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数量单价合计
1
¥6.5314
6.5314
10
¥5.5935
55.935
100
¥4.3053
430.53
500
¥3.8081
1904.05
5,000
¥2.6555
13277.5
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
25 V
Id-连续漏极电流
84 A
Rds On-漏源导通电阻
2.7 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
21 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
37 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.27 mm
长度
5.9 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
46 S
下降时间
2.2 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2.8 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
15 ns
典型接通延迟时间
3.3 ns
零件号别名
BSC032NE2LS BSC32NE2LSXT SP000854378
单位重量
117.820 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SSM6L35FU(TE85L,F)
Toshiba
晶体管
MOSFET N-Ch Sm Sig FET 0.1A -0.1A 20V 2-in1
1:¥3.5369
10:¥2.0566
100:¥0.96841
1,000:¥0.7458
3,000:¥0.61472
参考库存:23718
TK31N60W,S1VF
Toshiba
晶体管
MOSFET DTMOSIV 600V 88mOhm 30.8A 230W 3000pF
1:¥71.4612
10:¥65.088
25:¥58.6244
100:¥48.1041
参考库存:1695
RN2907FE,LF(CT
Toshiba
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor Built-in transistor
1:¥2.2261
10:¥1.4238
100:¥0.5989
1,000:¥0.4068
4,000:¥0.30736
参考库存:41402
2SD1620-TD-E
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP NPN 3A 10V
1:¥4.068
10:¥3.3335
100:¥2.034
1,000:¥1.5707
2,000:¥1.3334
参考库存:13269
APT5017BVRG
Microsemi
晶体管
MOSFET Power MOSFET - MOS5
1:¥129.6336
5:¥124.639
10:¥119.9495
25:¥110.1863
参考库存:1916

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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