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晶体管
VS-GP400TD60S参考图片

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VS-GP400TD60S

  • Vishay Semiconductors
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Ic 400A Vce(On)1.30V Half Brdge Trench PT
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1
¥1,174.7254
1174.7254
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
DIAP
安装风格
Chassis Mount
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
-
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
758 A
Pd-功率耗散
1.563 kW
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
集电极最大连续电流 Ic
758 A
商标
Vishay Semiconductors
栅极—射极漏泄电流
+/- 750 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
12
子类别
IGBTs
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN 10KOhms 250MHz
1:¥2.0792
10:¥1.356
100:¥0.66105
1,000:¥0.3842
3,000:¥0.29945
参考库存:18264
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor
1:¥1.8419
10:¥1.695
100:¥1.08367
1,000:¥0.3616
4,000:¥0.29945
8,000:查看
参考库存:93551
晶体管
MOSFET 33V Dual N-Ch Enh 20Vgss 115mA 240mW
1:¥2.6103
10:¥1.7967
100:¥0.75258
1,000:¥0.51528
3,000:¥0.40002
参考库存:18818
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.13 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-247 package
1:¥40.0359
10:¥34.0356
100:¥29.5043
250:¥27.9675
参考库存:6750
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100mA 300V
1:¥3.0736
10:¥2.0001
100:¥0.83733
1,000:¥0.56839
3,000:¥0.43053
参考库存:20787
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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