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晶体管
DMT6007LFGQ-7参考图片

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DMT6007LFGQ-7

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
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库存:50,676(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥7.3789
7.3789
10
¥6.3167
63.167
100
¥4.8477
484.77
500
¥4.2827
2141.35
1,000
¥3.3787
3378.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerDI-3333-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
80 A
Rds On-漏源导通电阻
6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
800 mV
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
41.3 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
62.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
100 S
下降时间
9.7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4.3 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
23.4 ns
典型接通延迟时间
5.7 ns
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Channel 500V
1:¥49.946
10:¥41.4145
100:¥34.1147
250:¥33.0412
500:¥29.6625
1,000:¥29.6625
参考库存:8747
晶体管
MOSFET
1:¥11.30
10:¥9.6841
100:¥7.4354
500:¥6.5766
参考库存:26974
晶体管
MOSFET N-CHANNEL_55/60V
1:¥12.2153
10:¥10.4525
100:¥7.9891
500:¥7.0512
参考库存:8754
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS 31V-40V
1:¥4.6895
10:¥3.8759
100:¥2.4973
1,000:¥2.0001
3,000:¥2.0001
参考库存:33756
晶体管
MOSFET NX3008NBKS/SC-88/REEL 7" Q3/T4
1:¥3.6838
10:¥2.3956
100:¥1.02943
1,000:¥0.791
3,000:¥0.5989
参考库存:44533
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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