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晶体管
2N6387G参考图片

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2N6387G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 达林顿晶体管 10A 60V Bipolar Power NPN
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库存:20,789(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.9156
6.9156
10
¥5.7291
57.291
100
¥3.6951
369.51
1,000
¥2.9606
2960.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
达林顿晶体管
RoHS
配置
Single
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
60 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—基极电压 VCBO
60 V
最大直流电集电极电流
10 A
最大集电极截止电流
1000 uA
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
2N6388
封装
Tube
高度
15.75 mm
长度
10.53 mm
宽度
4.83 mm
商标
ON Semiconductor
直流集电极/Base Gain hfe Min
100
产品类型
Darlington Transistors
工厂包装数量
50
子类别
Transistors
单位重量
6 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥2,955.8088
参考库存:36509
晶体管
MOSFET N-channel 60 V, 0.0012 Ohm typ., 260 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package
1:¥24.3628
10:¥20.7468
100:¥17.9783
250:¥17.063
参考库存:1904
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
100:¥411.8624
参考库存:36516
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100Vcbo 100Vcev 2A 75Vceo 6.0Vebo 10W
1:¥22.5096
10:¥20.1366
100:¥18.3625
250:¥16.5206
参考库存:5576
晶体管
MOSFET T6 60V S08FL
5,000:¥3.8759
10,000:¥3.729
25,000:¥3.616
参考库存:36523
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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