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晶体管
SSM6J215FE(TE85L,F参考图片

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SSM6J215FE(TE85L,F

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET P-Ch U-MOS VI FET ID -3.4A -20V 630pF
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数量单价合计
1
¥3.1527
3.1527
10
¥2.0792
20.792
100
¥1.1639
116.39
1,000
¥0.84524
845.24
4,000
¥0.7684
3073.6
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
ES6-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
3.4 A
Rds On-漏源导通电阻
154 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
10.4 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
配置
Single
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.55 mm
长度
1.6 mm
系列
SSM6J213
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
1.2 mm
商标
Toshiba
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
4000
子类别
MOSFETs
单位重量
36 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DTA124EKAT146
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 DIGITL PNP 50V 30MA
1:¥1.4577
10:¥1.2882
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:44743
NTLJF3117PT1G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET PFET 2X2 20V 4.1A 106MOHM
1:¥3.6838
10:¥3.0284
100:¥1.8532
1,000:¥1.4238
3,000:¥1.2204
参考库存:16550
PMZ600UNEYL
Nexperia
晶体管
MOSFET Trench Mosfet 20V, N-channel
1:¥3.6838
10:¥2.3843
100:¥1.02152
1,000:¥0.78422
10,000:¥0.52997
20,000:查看
参考库存:90312
TIP147FTU
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
达林顿晶体管 PNP Epitaxial Darl
1:¥17.289
10:¥14.6787
100:¥11.752
500:¥10.2943
1,000:¥8.5315
参考库存:3744
MJD112G
ON Semiconductor
晶体管
达林顿晶体管 2A 100V Bipolar Power NPN
1:¥4.8364
10:¥4.0228
100:¥2.4521
1,000:¥1.8984
参考库存:10226

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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