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晶体管
DN0150ADJ-7参考图片

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DN0150ADJ-7

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIPOLAR SMALL SIGNAL NPN/NPN
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库存:50,723(价格仅供参考)
数量单价合计
10,000
¥0.77631
7763.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-963-6
晶体管极性
NPN
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
50 V
集电极—基极电压 VCBO
60 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
最大直流电集电极电流
0.1 A
增益带宽产品fT
60 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
DN0150
直流电流增益 hFE 最大值
120 at 2 mA, 6 V
高度
0.45 mm
长度
1 mm
封装
Reel
宽度
0.8 mm
商标
Diodes Incorporated
直流集电极/Base Gain hfe Min
120
Pd-功率耗散
300 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
10000
子类别
Transistors
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTOR
1:¥2.6103
10:¥1.808
100:¥0.76049
1,000:¥0.51528
3,000:¥0.4068
参考库存:170747
晶体管
MOSFET 20V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified
1:¥3.9211
10:¥2.9606
100:¥2.1922
500:¥1.808
3,000:¥1.2769
6,000:查看
参考库存:1186264
晶体管
分立半导体模块 1200V Vdss; 358A ID SiC Mod; SICSTD02
1:¥5,859.05
5:¥5,765.3843
参考库存:4286
晶体管
MOSFET T6-D3F 40V NFET
1,500:¥3.0736
9,000:¥2.9606
24,000:¥2.8702
参考库存:47735
晶体管
IGBT 模块 1200V 100A 3-PHASE
1:¥1,170.1941
5:¥1,147.2212
10:¥1,093.7383
25:¥1,070.7654
参考库存:4408
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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