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晶体管
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QPD1018

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 500 Watt, 50 Volt, 2.7 - 3.1 GHz, GaN RF IMFET
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1
¥4,072.52
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25
¥3,672.952
91823.8
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制：
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
17.7 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
145 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 7 V to 2 V
Id-连续漏极电流
15 A
最大漏极/栅极电压
55 V
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
Pd-功率耗散
522 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
17.4 mm x 24 mm x 4.31 mm
配置
Single
工作频率
2.7 GHz to 3.1 GHz
商标
Qorvo
开发套件
QPD1018EVB
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
18
子类别
Transistors
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BCR 192 E6327
Infineon Technologies
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP Silicon Digital TRANSISTOR
1:¥1.4577
10:¥1.3221
100:¥0.46895
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23843
参考库存:93451
MMBTA 42 LT1
Infineon Technologies
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF GP BJT NPN 300V 0.5A
1:¥2.8476
10:¥1.921
100:¥0.79891
1,000:¥0.54579
3,000:¥0.43053
参考库存:76228
SIHB22N60AE-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
1:¥29.8885
10:¥24.8148
100:¥20.4417
250:¥19.7524
500:¥17.7523
参考库存:7995
2N7002BK,215
Nexperia
晶体管
MOSFET Single N-Channel 60V 300mA
1:¥1.7628
10:¥1.1865
100:¥0.49946
1,000:¥0.33787
3,000:¥0.26894
参考库存:1197972
DTC113ZUAT106
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN 50V 100MA SOT-323
1:¥1.4577
10:¥1.2882
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:31874

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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