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晶体管
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QPD1010

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-4GHz 10W 28-50V SSG 25dB PAE 70% GaN
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数量单价合计
1
¥157.9062
157.9062
25
¥136.5492
3413.73
100
¥118.1076
11810.76
250
¥109.8812
27470.3
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
24.7 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
50 V
Vgs-栅源极击穿电压
145 V
Id-连续漏极电流
400 mA
输出功率
11 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
Pd-功率耗散
13.5 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
QFN-16
封装
Waffle
配置
Single
工作频率
4 GHz
工作温度范围
- 40 C to + 85 C
系列
QPD
商标
Qorvo
开发套件
QPD1010-EVB1
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
- 2.8 V
零件号别名
1132873
单位重量
2.300 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
RJK0455DPB-00#J5
Renesas Electronics
晶体管
MOSFET JET Series MOSFET, 40V, LFPAK, Pb-F, HF
1:¥17.5941
10:¥15.9104
25:¥14.2154
100:¥12.7577
2,500:¥7.6727
5,000:查看
参考库存:41629
SI6413DQ-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 20V 8.8A 1.5W 10mohm @ 4.5V
3,000:¥7.1642
6,000:¥6.9043
9,000:¥6.6331
参考库存:41634
TSM033NB04LCR RLG
Taiwan Semiconductor
晶体管
MOSFET 40V 121A Single N-Chan Pwr MOSFET
5,000:¥6.4297
10,000:¥6.3054
参考库存:41639
6MS30017E43W38169
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块
1:¥251,518.0668
参考库存:41644
STU3LN62K3
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-Ch 620V 2.5 Ohm 2.5A SuperMESH 3
1:¥9.9101
10:¥7.684
100:¥6.1133
500:¥5.5709
参考库存:41649

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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  • 闪电发货

    科技智能大仓储

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