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晶体管
DMN10H170SVT-7参考图片

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DMN10H170SVT-7

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 2.6A 1.2W
  • 数据手册下载
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库存:84,519(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.6838
3.6838
10
¥3.0623
30.623
100
¥1.8645
186.45
1,000
¥1.4464
1446.4
3,000
¥1.2317
3695.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSOT-26-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
2.6 A
Rds On-漏源导通电阻
115 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
9.7 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.2 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
2.9 mm
系列
DMN10
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
1.6 mm
商标
Diodes Incorporated
下降时间
12 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
42 ns
典型接通延迟时间
10 ns
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET AFSM T6 40V LL U8FL
1:¥7.2207
10:¥6.1246
100:¥4.7008
500:¥4.1584
1,500:¥2.9154
9,000:查看
参考库存:15543
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V~30V PowerDI3333-8 T&R 3K
1:¥4.5313
10:¥3.8081
100:¥2.4634
1,000:¥1.9662
3,000:¥1.9662
参考库存:48637
晶体管
MOSFET N-Ch Enh Mode FET 300Vds 20Vgs FET
10,000:¥0.7458
参考库存:48642
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Prebias Transistor SOT363 T&R 10K
1:¥2.6894
10:¥1.8645
100:¥0.77631
1,000:¥0.52997
10,000:¥0.35369
20,000:查看
参考库存:508305
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) GenPurpTranstr
1:¥2.8476
10:¥1.9097
100:¥0.79891
1,000:¥0.54579
3,000:¥0.42262
参考库存:48649
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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