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晶体管
IFCM30T65GDXKMA1参考图片

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IFCM30T65GDXKMA1

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库存:5,972(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥114.5707
114.5707
10
¥105.3499
1053.499
25
¥100.9655
2524.1375
100
¥88.9762
8897.62
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
技术
Si
产品
IGBT Silicon Modules
配置
2-Phase
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.75 V
在25 C的连续集电极电流
30 A
栅极—射极漏泄电流
1 mA
Pd-功率耗散
60.4 W
封装 / 箱体
MDIP-24
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 100 C
封装
Tube
系列
CIPOS Mini
商标
Infineon Technologies
安装风格
Through Hole
栅极/发射极最大电压
-
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
280
子类别
IGBTs
商标名
CIPOS
零件号别名
IFCM30T65GD SP001423504
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 200MW 2.2K 10K
1:¥1.8419
10:¥1.243
100:¥0.52206
1,000:¥0.35369
3,000:¥0.27685
参考库存:31758
晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR
1:¥3.1527
10:¥2.2487
100:¥1.03734
1,000:¥0.79891
15,000:¥0.5763
45,000:查看
参考库存:226875
晶体管
MOSFET N-Ch 25V 40A TISON-8
1:¥12.6786
10:¥10.7576
100:¥8.6106
500:¥7.571
5,000:¥5.6274
10,000:查看
参考库存:26677
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Comp Dual
1:¥5.0737
10:¥4.2149
100:¥2.7233
1,000:¥2.1809
3,000:¥2.1809
参考库存:31734
晶体管
MOSFET N-Ch 30V 90A DPAK-2
1:¥7.3789
10:¥6.2828
100:¥4.8138
500:¥4.2601
2,500:¥2.9832
10,000:查看
参考库存:14366
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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