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晶体管
DMP21D0UFB4-7B参考图片

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DMP21D0UFB4-7B

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET 20V P-Ch ENH Mode 495mOhm -4.5V -0.77A
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24.295
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¥1.04525
104.525
1,000
¥0.79891
798.91
10,000
¥0.54579
5457.9
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
X2-DFN1006-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
770 mA
Rds On-漏源导通电阻
495 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
700 mV
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
Qg-栅极电荷
1.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
990 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
DMP21
晶体管类型
1 P-Channel
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
50 mS
下降时间
18.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8 ns
工厂包装数量
10000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
31.7 ns
典型接通延迟时间
7.1 ns
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PBSS5220PAPSX
Nexperia
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PBSS5220PAPS/HUSON6/REEL 7" Q1
3,000:¥1.356
9,000:¥1.2656
24,000:¥1.1865
45,000:¥1.1639
参考库存:51948
A2T21H410-24SR6
NXP / Freescale
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T21H410-24S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
150:¥1,282.0754
参考库存:51953
VS-GB100YG120NT
Vishay Semiconductors
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10:¥1,087.8962
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CMPT2907A BK
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14,000:¥1.7402
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MPSA70
Central Semiconductor
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Gen Pur
7,500:¥1.356
10,000:¥1.2656
25,000:¥1.2091
50,000:¥1.1752
参考库存:51968

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