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晶体管
BD442STU参考图片

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BD442STU

  • ON Semiconductor / Fairchild
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Si Transistor Epitaxial
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¥3.7629
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¥1.7741
1774.1
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-126-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 80 V
集电极—基极电压 VCBO
- 80 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 5 V
集电极—射极饱和电压
- 0.8 V
最大直流电集电极电流
4 A
增益带宽产品fT
3 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
BD442
高度
11 mm
长度
8 mm
封装
Tube
宽度
3.25 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
- 4 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
40
Pd-功率耗散
36 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1920
子类别
Transistors
零件号别名
BD442STU_NL
单位重量
761 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
VS-GB400AH120N
Vishay Semiconductors
晶体管
IGBT 模块 Output & SW Modules - DIAP IGBT
暂无价格
参考库存:43651
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10:¥57.856
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100:¥47.8668
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500:¥15.142
1,000:¥12.7577
2,500:¥12.1362
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20:¥437.6038
40:¥423.5466
60:¥423.4675
100:¥392.4264
参考库存:43668

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