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晶体管
SIHJ8N60E-T1-GE3参考图片

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SIHJ8N60E-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 600V Vds 30V Vgs PowerPAK SO-8L
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数量单价合计
1
¥16.9048
16.9048
10
¥14.0572
140.572
100
¥10.8367
1083.67
500
¥9.5259
4762.95
3,000
¥9.5259
28577.7
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SO-8L-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
8 A
Rds On-漏源导通电阻
450 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
22 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
89 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
系列
E
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
14 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
29 ns
典型接通延迟时间
14 ns
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IKW08T120FKSA1
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 1200V 8A
1:¥31.3462
10:¥26.668
100:¥23.1311
250:¥21.8994
500:¥19.6733
参考库存:6596
DMP3098LSD-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET PMOS-DUAL
1:¥4.9155
10:¥4.1132
100:¥2.6555
1,000:¥2.1244
2,500:¥2.1244
参考库存:25288
FCB20N60F-F085
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 600V, 20A SuperFET
1:¥43.3355
10:¥36.8041
100:¥31.8886
250:¥30.2727
800:¥22.8938
2,400:查看
参考库存:8730
ZXTN23015CFHTA
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Medium Power
1:¥5.989
10:¥5.0059
100:¥3.2318
1,000:¥2.5764
3,000:¥2.5764
参考库存:17487
SPD09P06PLGBTMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET P-Ch -60V 9.7A DPAK-2
1:¥6.4523
10:¥5.3675
100:¥3.4578
1,000:¥2.7685
2,500:¥2.3391
参考库存:18534

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

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