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产品分类

晶体管
IPD80R450P7ATMA1参考图片

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IPD80R450P7ATMA1

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库存:29,753(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥13.8312
13.8312
10
¥11.752
117.52
100
¥9.4468
944.68
500
¥8.2264
4113.2
1,000
¥6.8591
6859.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
11 A
Rds On-漏源导通电阻
450 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
24 nC
最小工作温度
- 50 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
73 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Cut Tape
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
系列
CoolMOS P7
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
6 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
40 ns
典型接通延迟时间
10 ns
零件号别名
IPD80R450P7 SP001422626
单位重量
340 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 250V N-Channel QFET
1:¥19.9784
10:¥16.9839
100:¥13.5261
500:¥11.8311
参考库存:3960
晶体管
MOSFET MOSFT 100V 180A 4.3mOhm 87nC
1:¥42.8044
10:¥36.3408
100:¥31.5044
250:¥29.8885
500:¥26.8149
参考库存:3882
晶体管
MOSFET -20V Dual P-Ch PowerTrench MOSFET
1:¥5.537
10:¥4.5991
100:¥2.9606
1,000:¥2.373
3,000:¥2.0001
参考库存:30974
晶体管
MOSFET MOSFT 55V 18A 60mOhm 10nC LogLvlAB
1:¥7.0738
10:¥5.8986
100:¥3.8081
1,000:¥3.0397
参考库存:25951
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS TrenchStop RC
1:¥13.221
10:¥11.2209
100:¥8.9157
500:¥7.8422
1,000:¥6.5201
2,500:¥6.5201
参考库存:6658
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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