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晶体管
A2T21H360-23NR6参考图片

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A2T21H360-23NR6

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T21H360-23N/FM6F///REEL 13 Q2 DP
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库存:52,292(价格仅供参考)
数量单价合计
150
¥853.15
127972.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
2.4 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 5 V
增益
16.8 dB
输出功率
63 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
OM-1230-4
封装
Reel
工作频率
2110 MHz to 2200 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP Semiconductors
通道数量
2 Channel
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
150
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
0.8 V
零件号别名
935322358528
单位重量
5.296 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频(RF)双极晶体管 PNP High Frequency
3,000:¥15.7522
6,000:¥15.2889
参考库存:44204
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS RET TAPE-7
3,000:¥0.2147
9,000:¥0.18419
24,000:¥0.1695
45,000:¥0.14577
99,000:¥0.12317
参考库存:44209
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Prebias Transistor
10,000:¥0.23843
30,000:¥0.22261
50,000:¥0.20792
参考库存:44214
晶体管
达林顿晶体管 NPN GP Darlington
9,000:¥0.90626
24,000:¥0.82942
45,000:¥0.79891
99,000:¥0.7684
参考库存:751509
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 60Vcbo 60Vceo 5.0Vebo 65W
1,600:¥4.5652
2,800:¥4.0454
10,000:¥3.8985
参考库存:44221
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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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