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晶体管
DDTC123JE-7-F参考图片

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DDTC123JE-7-F

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 预偏置 PRE-BIAS NPN 150mW
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库存:19,017(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2.6103
2.6103
10
¥1.7289
17.289
100
¥0.72207
72.207
1,000
¥0.49155
491.55
3,000
¥0.3842
1152.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 预偏置
RoHS
配置
Single
晶体管极性
NPN
典型输入电阻器
2.2 kOhms
典型电阻器比率
0.046
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-523-3
直流集电极/Base Gain hfe Min
80
集电极连续电流
0.1 A
峰值直流集电极电流
100 mA
Pd-功率耗散
150 mW
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
DDTC123
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
直流电流增益 hFE 最大值
80
高度
0.75 mm
长度
1.6 mm
类型
NPN Pre-Biased Small Signal SOT-523 Surface Mount Transistor
宽度
0.8 mm
商标
Diodes Incorporated
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
2 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET PLANAR_MOSFETS
1:¥11.6842
10:¥9.9101
100:¥7.6727
500:¥6.78
参考库存:16767
晶体管
MOSFET Power MOSFET N-Channel Single
1:¥15.2889
10:¥13.5261
100:¥10.6785
500:¥8.2942
5,000:¥5.6387
10,000:查看
参考库存:121419
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.8 - 2000 MHz 25 W 50 V
1:¥222.0676
5:¥212.2366
10:¥204.7786
25:¥178.7321
参考库存:7161
晶体管
MOSFET N-Ch Enh Mode FET 20Vdss 10Vgss 20A
1:¥3.3787
10:¥2.6329
100:¥1.4238
1,000:¥1.06785
3,000:¥0.92208
9,000:¥0.86106
参考库存:18988
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 20A 140V 250W NPN
1:¥53.7089
10:¥48.5674
50:¥46.2622
100:¥40.1828
参考库存:16170
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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