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晶体管
A2T21H141W24SR3参考图片

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A2T21H141W24SR3

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T21H141W24S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
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库存:36,609(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥466.577
466.577
5
¥456.1245
2280.6225
10
¥438.2931
4382.931
25
¥424.1568
10603.92
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
1 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 65 V
增益
17.2 dB
输出功率
36 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-780S-4
封装
Cut Tape
封装
Reel
工作频率
2110 MHz to 2200 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP Semiconductors
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
0.8 V
零件号别名
935368003128
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 80V 110A 375W
1:¥35.9566
10:¥29.8094
100:¥24.5097
250:¥23.7413
800:¥17.9783
2,400:查看
参考库存:57034
晶体管
MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-323
1:¥2.7685
10:¥1.7628
100:¥0.76049
1,000:¥0.58421
3,000:¥0.44522
参考库存:14106
晶体管
MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥14.4414
10:¥11.9893
100:¥9.2999
500:¥8.1473
1,000:¥6.7687
3,000:¥6.7687
参考库存:47018
晶体管
IGBT 模块 IGBT-MODULE
1:¥155.2959
10:¥142.7642
25:¥136.8543
100:¥120.5597
参考库存:2775
晶体管
MOSFET 40V P-Channel Power Trench Mosfet
1:¥6.3732
10:¥5.4466
100:¥4.1923
500:¥3.7064
2,500:¥2.5877
10,000:查看
参考库存:9317
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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