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APTGT400U120D4G

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100
¥1,048.4027
104840.27
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
是
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
1.7 V
在25 C的连续集电极电流
650 A
栅极—射极漏泄电流
600 nA
Pd-功率耗散
1.785 kW
封装 / 箱体
D4-5
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Bulk
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
单位重量
350 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2N3762L
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥207.694
250:¥190.8683
500:¥175.8054
参考库存:52004
2N3724L/TR
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥123.4864
200:¥112.5706
500:¥105.3499
参考库存:52009
BCR142WH6327XTSA1
Infineon Technologies
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 AF DIGITAL TRANSISTOR
1:¥1.7628
10:¥1.2204
100:¥0.50737
1,000:¥0.34578
3,000:¥0.27685
参考库存:52014
JANTXV2N3637/TR
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥211.1518
250:¥193.795
500:¥184.416
参考库存:52019
CMBT2222A
Rectron
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN,0.6A,40V GenPur
21,000:¥0.14577
参考库存:52024

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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