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晶体管
RDD020N60TL参考图片

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RDD020N60TL

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库存:37,377(价格仅供参考)
数量单价合计
2,500
¥3.9889
9972.25
10,000
¥3.842
38420
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
2 A
Rds On-漏源导通电阻
5.1 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
7 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
20 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
ROHM Semiconductor
下降时间
53 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
14 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
25 ns
典型接通延迟时间
17 ns
零件号别名
RDD020N60
单位重量
340 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET DUAL N-CHANNEL PowerTrench
1:¥8.0682
10:¥6.8817
100:¥5.2997
500:¥4.6782
3,000:¥3.277
9,000:查看
参考库存:17025
晶体管
MOSFET 100V N-Channel PowerTrench
1:¥10.5994
10:¥9.0626
100:¥6.9495
500:¥6.1359
1,000:¥4.8364
2,500:¥4.8364
参考库存:30742
晶体管
MOSFET MOSFT 55V 133A 5.3mOhm 170nC
1:¥18.5998
10:¥15.8313
100:¥12.5995
500:¥11.0627
1,000:¥9.1417
参考库存:19159
晶体管
MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 8.5mOhms 9.3nC
1:¥6.3054
10:¥5.3788
100:¥4.1358
500:¥3.6612
1,000:¥2.8815
4,000:¥2.8815
参考库存:167826
晶体管
MOSFET 300V N-Channel
1:¥15.142
10:¥12.9046
100:¥10.2943
500:¥8.9948
800:¥7.4806
2,400:¥7.3789
参考库存:13058
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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