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晶体管
IPD65R650CEAUMA1参考图片

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IPD65R650CEAUMA1

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库存:13,737(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥7.0738
7.0738
10
¥5.9212
59.212
100
¥3.8194
381.94
1,000
¥3.0623
3062.3
2,500
¥3.0623
7655.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PG-TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
10.1 A
Rds On-漏源导通电阻
650 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
23 nC
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
86 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
系列
CoolMOS CE
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
11 ns
湿度敏感性
Yes
产品类型
MOSFET
上升时间
8 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
64 ns
典型接通延迟时间
10 ns
零件号别名
IPD65R650CE SP001396908
单位重量
340 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET
600:¥148.5272
参考库存:44841
晶体管
MOSFET 40V 100A 157W AEC-Q101 Qualified
1:¥18.5998
10:¥15.4471
100:¥11.9893
500:¥10.4525
800:¥8.6784
参考库存:44846
晶体管
MOSFET N-Ch 120V 120A TO220-3 OptiMOS 3
500:¥26.8149
1,000:¥22.5887
2,500:¥21.5152
参考库存:44851
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 1.6x1.6mm
8,000:¥1.5707
参考库存:44856
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
3,000:¥2.1244
9,000:¥2.0453
24,000:¥1.9662
45,000:¥1.9323
参考库存:44861
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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