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晶体管
HGTG5N120BND参考图片

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HGTG5N120BND

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库存:38,036(价格仅供参考)
数量单价合计
450
¥14.4414
6498.63
900
¥12.9837
11685.33
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.45 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
21 A
Pd-功率耗散
167 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
HGTG5N120BND
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
21 A
高度
20.82 mm
长度
15.87 mm
宽度
4.82 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
21 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
零件号别名
HGTG5N120BND_NL
单位重量
6.390 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP SOT-723 -50V VCC -0.1A IC
1:¥1.5368
10:¥1.03734
100:¥0.43844
1,000:¥0.29945
2,500:¥0.23052
8,000:¥0.20001
参考库存:43048
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP SOT-323FL 47kO Input Resist
1:¥1.4577
10:¥1.2882
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:36600
晶体管
MOSFET 800V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
1:¥16.4415
10:¥13.673
100:¥10.5994
500:¥9.2999
1,000:¥7.6501
参考库存:8087
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 28 A MDmesh DM2 Power MOSFETs in TO-247 package
1:¥39.4144
10:¥33.5045
100:¥29.041
250:¥27.5042
参考库存:5489
晶体管
MOSFET 800V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
1:¥18.4416
10:¥15.2889
100:¥11.8311
500:¥10.3734
1,000:¥8.6106
参考库存:8086
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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