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晶体管
2SK2009TE85LF参考图片

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2SK2009TE85LF

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch Sm Sig FET Id 0.2A 30V 20V
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数量单价合计
1
¥4.1471
4.1471
10
¥3.0623
30.623
100
¥1.921
192.1
1,000
¥1.4464
1446.4
3,000
¥1.2317
3695.1
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-346-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
200 mA
Rds On-漏源导通电阻
2 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
500 mV
Vgs - 栅极-源极电压
2.5 V
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
200 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
2.9 mm
系列
2SK2009
晶体管类型
1 N-Channel
类型
RF Small Signal MOSFET
宽度
1.5 mm
商标
Toshiba
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
0.12 us
典型接通延迟时间
0.06 us
单位重量
12 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DMA566020R
Panasonic
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 COMPOSITE TRANSISTOR FLT LD 2.0x2.1mm
3,000:¥0.90626
9,000:¥0.85315
24,000:¥0.78422
45,000:¥0.73789
参考库存:51145
IFS75B12N3E4_B31
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 MIPAQ BASE 1200V 75A
10:¥937.7531
30:¥918.0798
100:¥872.134
参考库存:51150
DDTA143TUA-7-F
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PRE-BIAS PNP 200mW
3,000:¥0.27685
9,000:¥0.23843
24,000:¥0.22261
45,000:¥0.20792
参考库存:398445
MHT1004NR3
NXP / Freescale
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MHT1004N/FM2F///REEL 13 Q2 DP
250:¥841.7822
参考库存:51157
A2G22S160-01SR3
NXP / Freescale
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 A2G22S160-01S/CFM2F///REEL 13 Q1 NDP
250:¥864.9133
参考库存:51162

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