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晶体管
2SK2009TE85LF参考图片

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2SK2009TE85LF

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch Sm Sig FET Id 0.2A 30V 20V
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库存:6,778(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.1471
4.1471
10
¥3.0623
30.623
100
¥1.921
192.1
1,000
¥1.4464
1446.4
3,000
¥1.2317
3695.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-346-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
200 mA
Rds On-漏源导通电阻
2 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
500 mV
Vgs - 栅极-源极电压
2.5 V
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
200 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
2.9 mm
系列
2SK2009
晶体管类型
1 N-Channel
类型
RF Small Signal MOSFET
宽度
1.5 mm
商标
Toshiba
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
0.12 us
典型接通延迟时间
0.06 us
单位重量
12 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 250W 50V NI780HS
50:¥1,751.952
参考库存:25242
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
1:¥12.0684
10:¥10.2152
100:¥8.2264
500:¥7.1416
1,000:¥5.9212
2,500:¥5.9212
参考库存:27022
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SS BR XSTR NPN 50V
1:¥2.0792
10:¥1.4464
100:¥0.5989
1,000:¥0.4068
3,000:¥0.32318
参考库存:25249
晶体管
MOSFET MOSFT 55V 25A 45mOhm 22.7nC
1:¥6.9156
10:¥5.9212
100:¥4.5539
500:¥4.0228
1,000:¥3.1753
3,000:¥3.1753
参考库存:25254
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 140V PNP Lw Saturatn Med power transistor
1:¥6.6896
10:¥5.6048
100:¥3.616
1,000:¥2.8928
参考库存:9679
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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