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晶体管
PTRA097008NB-V1-R2参考图片

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PTRA097008NB-V1-R2

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power Amplifier
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数量单价合计
250
¥1,018.13
254532.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
600 mA
Vds-漏源极击穿电压
105 V
Rds On-漏源导通电阻
70 mOhms
增益
19 dB
输出功率
630 W
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
PG-HB2SOF-6-1
封装
Reel
工作频率
920 MHz to 960 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
3.65 V
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Bipolar Discretes SOT89
1:¥3.2318
10:¥2.3165
100:¥1.05994
1,000:¥0.81473
参考库存:134030
晶体管
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥33.9678
10:¥28.815
100:¥24.973
250:¥23.7413
500:¥21.2892
参考库存:5102
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PBSS5540Z/SC-73/REEL 13" Q1/T1
1:¥4.5313
10:¥3.7516
100:¥2.2939
1,000:¥1.7628
4,000:¥1.5029
参考库存:24719
晶体管
IGBT 晶体管 High speed hard switching 600 V, 60 A third generation TRENCHSTOP IGBT3 co-packed with Rapid 1 fast and soft antiparallel diode in a TO-247 advanced isolation.
1:¥57.63
10:¥52.093
25:¥49.6409
100:¥43.1095
参考库存:5011
晶体管
MOSFET 650V 76A NChn MOSFET SuperFET II, FRFET
1:¥79.6876
10:¥72.0036
25:¥68.6927
100:¥59.6301
参考库存:6303
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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