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晶体管
SIR624DP-T1-RE3参考图片

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SIR624DP-T1-RE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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数量单价合计
6,000
¥3.5482
21289.2
12,000
¥3.4239
41086.8
24,000
¥3.3109
79461.6
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
200 V
Id-连续漏极电流
18.6 A
Rds On-漏源导通电阻
60 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
30 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
52 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET, PowerPAK
封装
Reel
系列
SIR
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
26 S
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
18 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
16 ns
典型接通延迟时间
9 ns
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JAN2N3902
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥445.5929
参考库存:53530
2N4233
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥298.2183
2:¥290.1501
5:¥282.0819
10:¥274.0137
参考库存:53535
ES6U41T2R
ROHM Semiconductor
晶体管
MOSFET ULTRA-LOW OHMIC RESISTOR; 3/4W; PMR18(1206) PKG
1:¥3.0736
10:¥2.4973
100:¥1.5255
1,000:¥1.1865
8,000:¥0.9379
24,000:查看
参考库存:53540
APTGT400SK120G
Microsemi
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
1:¥1,285.9174
5:¥1,254.2548
10:¥1,224.0612
25:¥1,179.5731
参考库存:53545
BC848AW RFG
Taiwan Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor 200mW
1:¥1.921
10:¥1.7628
100:¥1.1639
1,000:¥0.39211
3,000:¥0.32318
参考库存:53550

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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