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晶体管
SI7900AEDN-T1-E3参考图片

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SI7900AEDN-T1-E3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8
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库存:18,256(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥13.221
13.221
10
¥10.9158
109.158
100
¥8.3733
837.33
500
¥7.1642
3582.1
1,000
¥5.65
5650
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-1212-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
8.5 A
Rds On-漏源导通电阻
26 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
400 mV
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Qg-栅极电荷
16 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
3.1 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SI7
晶体管类型
2 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
25 S
下降时间
4.2 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
1.3 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
8.6 ns
典型接通延迟时间
0.85 ns
零件号别名
SI7900AEDN-T1
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 20V P-Ch Enh Mode 8Vgs 915pF 10.7nC
1:¥3.2996
10:¥2.5538
100:¥1.3786
1,000:¥1.03734
3,000:¥0.89948
9,000:¥0.83733
参考库存:34243
晶体管
MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8
1:¥9.0626
10:¥7.5258
100:¥5.7743
500:¥4.972
2,500:¥4.972
参考库存:17125
晶体管
IGBT 晶体管 600V UltraFast 8-25kHz
1:¥26.9731
10:¥22.8938
100:¥19.8993
250:¥18.8258
参考库存:6522
晶体管
MOSFET 600V N-Ch Q-FET advance C-Series
1:¥12.0684
10:¥10.2943
100:¥7.91
500:¥6.9834
1,000:¥5.5144
参考库存:13804
晶体管
MOSFET N-Channel MOSFET, SOP-8 package
1:¥5.1528
10:¥4.3731
100:¥3.277
500:¥2.4069
4,000:¥1.6498
8,000:查看
参考库存:20216
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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