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晶体管
IRFHM8337TRPBF参考图片

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IRFHM8337TRPBF

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • MOSFET 30V 5nC SGL N-CH HEXFET Pwr MOSFET
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库存:14,653(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.4522
4.4522
10
¥3.729
37.29
100
¥2.4069
240.69
1,000
¥1.9323
1932.3
4,000
¥1.9323
7729.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PQFN-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
12 A
Rds On-漏源导通电阻
14.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.8 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
5.4 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.8 W
配置
Single
商标名
SmallPowIR
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.9 mm
长度
3.3 mm
系列
IRFHM8337
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.3 mm
商标
Infineon / IR
正向跨导 - 最小值
17 S
下降时间
5.6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11 ns
工厂包装数量
4000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
9.9 ns
典型接通延迟时间
9 ns
零件号别名
SP001572684
单位重量
164 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥1,118.9486
2:¥1,092.0546
5:¥1,076.0651
10:¥1,060.8553
参考库存:3143
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN High Voltage
1:¥17.1308
10:¥15.2098
100:¥12.2153
500:¥10.6785
参考库存:16675
晶体管
MOSFET 40V N-Channel PowerTrench MOSFET
1:¥22.9729
10:¥19.5151
100:¥16.9048
250:¥16.0573
800:¥12.1362
2,400:查看
参考库存:17097
晶体管
MOSFET N-Chan 60V 2.7 Amp
1:¥6.4523
10:¥5.6839
100:¥4.3844
500:¥3.2544
1,000:¥2.599
2,500:¥2.2826
参考库存:132644
晶体管
MOSFET 60V 22.7A N-CHANNEL QFET MOSFET
1:¥7.6049
10:¥6.5088
100:¥5.0059
500:¥4.4183
1,000:¥3.4917
2,500:¥3.3222
参考库存:27426
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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