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晶体管
BSR802NL6327HTSA1参考图片

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BSR802NL6327HTSA1

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库存:56,317(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.4578
3.4578
10
¥2.8702
28.702
100
¥1.7515
175.15
1,000
¥1.356
1356
3,000
¥1.1639
3491.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
3.7 A
Rds On-漏源导通电阻
17 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
300 mV
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
4.7 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
2.9 mm
系列
BSR802
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
1.3 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
16 S
下降时间
4.1 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
18 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
26 ns
典型接通延迟时间
9.8 ns
零件号别名
BSR802N BSR82NL6327XT L6327 SP000442484
单位重量
32 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Transistor Low Saturation
1:¥3.1527
10:¥2.4634
100:¥1.3334
1,000:¥0.99892
3,000:¥0.86106
参考库存:15191
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) -60V 150mW
1:¥2.7685
10:¥1.7515
100:¥0.75258
1,000:¥0.5763
3,000:¥0.43844
参考库存:154213
晶体管
IGBT 模块 IGBT 1600V 240A
1:¥1,046.3348
5:¥1,025.814
10:¥977.9472
25:¥957.4264
参考库存:1620
晶体管
MOSFET N-Ch 240V 50mA SOT-223-3
1:¥7.1416
10:¥6.1133
100:¥4.7008
500:¥4.1471
1,000:¥3.277
参考库存:3112
晶体管
MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-220AB
1:¥8.6784
10:¥7.1529
100:¥5.4918
500:¥4.7234
1,000:¥3.729
参考库存:29504
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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