QPD1823原装正品_库存数量_PDF手册

晶体管

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250	¥623.3306	155832.65

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Qorvo
产品种类	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS	是
晶体管类型	HEMT
技术	GaN SiC
增益	21 dB
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	-
Vgs-栅源极击穿电压	-
Id-连续漏极电流	-
输出功率	220 W
最大漏极/栅极电压	-
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	-
Pd-功率耗散	-
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	NI400-2
封装	Tray
应用	Microcell Base Station, W-CDMA / LTE
配置	Single
工作频率	1.8 GHz to 2.4 GHz
系列	QPD
商标	Qorvo
正向跨导 - 最小值	-
产品类型	RF JFET Transistors
工厂包装数量	250
子类别	Transistors
零件号别名	1130969

商品其它信息

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型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
CZT3150 TR	Central Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Bipolar Power Transistor NPN	2,000:¥2.5538 10,000:¥2.4634 25,000:¥2.3843	参考库存:431233
NVMFS5C460NLAFT3G	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	MOSFET T6 40V NCH LL IN SO8FL	5,000:¥2.4747 10,000:¥2.3843 25,000:¥2.2939	参考库存:26235
VN3515L-G P002	Microchip Technology	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET	2,000:¥5.3675	参考库存:43947
NGTD30T120F2SWK	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	IGBT 晶体管 1200V/50A CJ57 FAST IGBT	157:¥28.815 250:¥27.3573 500:¥24.5097 1,000:¥20.6677	参考库存:39847
TK20S04K3L(T6L1,NQ	Toshiba	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch MOS 20A 40V 38W 820pF 0.014	2,000:¥3.5821 10,000:¥3.4465 24,000:¥3.3335	参考库存:43954