QPD2796原装正品_库存数量_PDF手册

晶体管

图片仅供参考，请参阅产品规格

购买、咨询产品请填写询价信息

询价型号*	数量*	批号	封装	品牌	其它要求

请确认联系方式，3分钟内即可给您回复

微信： QQ：

库存：40,233(价格仅供参考)

数量	单价	合计
250	¥648.6878	162171.95

询价数量：

加入询价单立即询价

相关型号

数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Qorvo
产品种类	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS	是
晶体管类型	HEMT
技术	GaN SiC
增益	20 dB
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	-
Vgs-栅源极击穿电压	-
Id-连续漏极电流	-
输出功率	200 W
最大漏极/栅极电压	-
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	-
Pd-功率耗散	-
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	NI400-2
封装	Tray
应用	Microcell Base Station, W-CDMA / LTE
配置	Single
工作频率	2.5 GHz to 2.7 GHz
系列	QPD
商标	Qorvo
正向跨导 - 最小值	-
产品类型	RF JFET Transistors
工厂包装数量	250
子类别	Transistors
零件号别名	1130963

商品其它信息

原装正品，最快4小时发货

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
RN1106MFV,L3F	Toshiba	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 BRT NPN Single 100mA IC 50V VCEO	1:¥1.3108 10:¥1.09158 100:¥0.3842 1,000:¥0.26103	参考库存:33766
NSM3005NZTAG	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) MEA SMALL SIGNAL BJT AND	1:¥3.616 10:¥2.7233 100:¥1.4803 1,000:¥1.10627 3,000:¥0.95259	参考库存:31563
SQ4005EY-T1_GE3	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET P Ch -12Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified	1:¥7.8422 10:¥6.4975 100:¥4.9833 500:¥4.2827 1,000:¥3.3787 2,500:¥3.3787	参考库存:5425
SST2907AHZGT116	ROHM Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP SOT-23 -0.6A -60V VCEO	1:¥1.3108 10:¥1.1865 100:¥0.42262 1,000:¥0.28476 3,000:¥0.2147	参考库存:79047
SI7157DP-T1-GE3	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SO-8	1:¥11.9893 10:¥9.831 100:¥7.571 500:¥6.5201 3,000:¥6.5201	参考库存:87164