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晶体管
FQB19N20TM参考图片

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FQB19N20TM

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库存:6,067(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥12.3735
12.3735
10
¥10.5316
105.316
100
¥8.3733
837.33
500
¥7.3337
3666.85
800
¥6.0794
4863.52
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
200 V
Id-连续漏极电流
19.4 A
Rds On-漏源导通电阻
150 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
3.13 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.83 mm
长度
10.67 mm
系列
FQB19N20
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
9.65 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
14.5 S
下降时间
80 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
190 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
55 ns
典型接通延迟时间
20 ns
单位重量
1.312 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 40V 200MA
1:¥2.5312
10:¥1.6837
100:¥0.70738
1,000:¥0.47686
3,000:¥0.37629
参考库存:8230
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 VESM PLN TRANSISTOR Pd 150mW F 1MHz
1:¥1.4577
10:¥1.1865
100:¥0.42262
1,000:¥0.29154
8,000:查看
参考库存:14942
晶体管
IGBT 模块 1200V 450A Dual
1:¥1,547.0943
参考库存:1754
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 20V 50MA SOT-323
1:¥3.2318
10:¥2.2261
100:¥1.02152
1,000:¥0.78422
3,000:¥0.66896
参考库存:5866
晶体管
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥55.1666
10:¥49.8669
25:¥47.5617
100:¥41.2676
3,000:¥30.1258
参考库存:16733
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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