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晶体管
CSD87312Q3E参考图片

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CSD87312Q3E

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET Dual 30V N-CH NexFET Pwr MOSFETs
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库存:23,401(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥7.7631
7.7631
10
¥6.6105
66.105
100
¥5.0963
509.63
500
¥4.4974
2248.7
2,500
¥3.1527
7881.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VSON-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
27 A
Rds On-漏源导通电阻
33 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
800 mV
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
6.3 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.5 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
3.3 mm
系列
CSD87312Q3E
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
3.3 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
39 S
下降时间
2.9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
16 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
17 ns
典型接通延迟时间
7.8 ns
单位重量
31.200 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 60V Single N-Channel HEXFET Power
1:¥21.0519
10:¥17.8314
100:¥15.4471
250:¥14.6787
参考库存:6544
晶体管
MOSFET P-Ch -100V 15A DPAK-2
1:¥11.8311
10:¥10.0683
100:¥8.0682
500:¥7.0625
2,500:¥5.4466
5,000:查看
参考库存:13116
晶体管
MOSFET N-Ch, 620V-1.1ohms 5.5A
1:¥13.221
10:¥11.2209
100:¥8.9948
500:¥7.8422
参考库存:36743
晶体管
MOSFET 20V 8.0A 2.97W 27.5mohm @ 4.5V
1:¥6.8365
10:¥6.0116
100:¥4.6669
1,000:¥3.4917
3,000:¥2.9945
参考库存:29790
晶体管
MOSFET 40/20V Nch Power Trench
1:¥9.831
10:¥8.3733
100:¥6.4636
500:¥5.7065
2,500:¥4.0002
10,000:查看
参考库存:27832
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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