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晶体管
DMN3012LDG-13参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

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DMN3012LDG-13

  • Diodes Inc. / Pericom
  • 新批次
  • MOSFET MOSFET BVDSS: 25V~30V PowerDI3333-8 T&R 3K
  • 数据手册下载
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库存:40,913(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥10.6785
10.6785
10
¥9.1417
91.417
100
¥7.0286
702.86
500
¥6.215
3107.5
1,000
¥4.9042
4904.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerDI3333-B
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
20 A
Rds On-漏源导通电阻
12 mOhms, 6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V, 750 mV
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
6.1 nC, 12.6 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.2 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
27 S, 46 S
下降时间
2.3 ns, 2.9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2.7 ns, 3.5 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
6.4 ns, 12.4 ns
典型接通延迟时间
5.1 ns, 4.4 ns
单位重量
44 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET P-Ch -100V 4.2A DPAK-2
1:¥5.8421
10:¥4.9042
100:¥3.164
1,000:¥2.5312
2,500:¥2.1357
参考库存:31885
晶体管
MOSFET 30V 8.0A 3.1W 16mohm @ 10V
1:¥12.3735
10:¥10.2943
100:¥7.91
500:¥6.9834
1,000:¥5.7856
2,500:¥5.7856
参考库存:17462
晶体管
MOSFET 40V Single N-Channel HEXFET
1:¥14.9047
10:¥12.6786
100:¥10.1474
500:¥8.8366
4,800:¥6.5992
9,600:查看
参考库存:25984
晶体管
MOSFET 40V 1 N-CH HEXFET PWR MOSFET 2.4mOhms
1:¥20.4417
10:¥17.3681
100:¥15.0629
250:¥14.2945
500:¥12.7577
4,000:¥12.7577
参考库存:22436
晶体管
MOSFET 900V 1.7A 7.2Ohm N-Channel
1:¥7.458
10:¥6.3732
100:¥4.8929
500:¥4.3279
1,000:¥3.4239
参考库存:29798
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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