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晶体管

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VS-GB100NH120N

  • Vishay Semiconductors
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  • IGBT 模块 Output & SW Modules - DIAP IGBT
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
IGBT 模块
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
1.9 V
在25 C的连续集电极电流
200 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
833 W
封装 / 箱体
INT-A-PAK
最大工作温度
+ 150 C
商标
Vishay Semiconductors
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
12
子类别
IGBTs
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 650V 11.4A TO220-3
1:¥22.1254
10:¥18.8258
100:¥15.0629
500:¥13.221
参考库存:40009
晶体管
IGBT 晶体管 1200V NPT IGBT
375:¥63.8563
750:¥58.1724
1,125:¥50.6353
参考库存:40014
晶体管
MOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
5,000:¥3.0623
10,000:¥2.9606
25,000:¥2.8589
参考库存:40019
晶体管
MOSFET P-Ch 450mA MOSFET & 40V 500mA Schottky
6,000:¥1.4464
9,000:¥1.3447
24,000:¥1.2769
45,000:¥1.243
参考库存:79914
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
10,000:¥2.0679
20,000:¥1.9775
参考库存:40026
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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