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晶体管
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QPD2195SR

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 400 W, 48 V, 1.8-2.2 GHz GaN RF Power Transistor
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
20.4 dB
晶体管极性
N-Channel
输出功率
400 W
最大漏极/栅极电压
55 V
最小工作温度
- 40 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI780-2
封装
Reel
配置
Single
工作频率
1.8 GHz to 2.2 GHz
商标
Qorvo
开发套件
QPD2195PCB4B01
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2SC2713BLTE85LF
Toshiba
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 0.1A IC 120V Gen Purp Trans
暂无价格
参考库存:53058
JAN2N3700/TR
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
112:¥70.2295
250:¥64.5456
500:¥58.8617
1,000:¥51.2568
参考库存:53063
TPC8037-H(TE12L,QM
Toshiba
晶体管
MOSFET N-ch 30V 12A SOP-8
暂无价格
参考库存:53068
RN2115MFV(TPL3)
Toshiba
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 -50volts 100mA 3Pin 2.2Kohms x 10Kohms
暂无价格
参考库存:53073
JANTXV2N5153L
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥193.5577
5:¥183.8058
10:¥179.0372
25:¥164.5167
参考库存:53078

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