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APTGT50H120T3G

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¥548.5585
54855.85
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
是
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Full Bridge
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
1.7 V
在25 C的连续集电极电流
75 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
270 W
封装 / 箱体
SP3-32
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 100 C
封装
Tube
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TK12E60W,S1VX
Toshiba
晶体管
MOSFET N-Ch 11.5A 110W FET 600V 890pF 25nC
1:¥23.6622
10:¥19.0518
100:¥17.3681
250:¥15.6731
参考库存:1877
MRF8P9210NR3
NXP / Freescale
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 900MHz 63W
250:¥657.5922
参考库存:24604
2SK3811-ZP-E1-AY
Renesas Electronics
晶体管
MOSFET MOSFET
800:¥17.063
2,400:¥16.2155
参考库存:24609
DMNH4011SK3-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET ENH MOS FET 41V 60V
2,500:¥2.8815
参考库存:24614
PSMN2R2-30YLC,115
Nexperia
晶体管
MOSFET N-Ch 30V 2.15mOhms
1:¥6.9947
10:¥5.9777
100:¥4.5991
500:¥4.0567
1,500:¥2.8476
9,000:查看
参考库存:8844

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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