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晶体管

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APTGT75TDU60PG

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库存:42,107(价格仅供参考)
数量单价合计
100
¥800.2095
80020.95
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Triple Dual Common Source
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
在25 C的连续集电极电流
100 A
栅极—射极漏泄电流
600 nA
Pd-功率耗散
250 W
封装 / 箱体
SP6-P
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 100 C
封装
Tube
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
单位重量
110 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100mA 50V NPN
1:¥0.84524
10:¥0.7684
100:¥0.26894
1,000:¥0.18419
3,000:¥0.13786
参考库存:806223
晶体管
MOSFET -40V P-Channel PowerTrench MOSFET
1:¥8.2264
10:¥6.9495
100:¥5.3449
500:¥4.7234
1,000:¥3.729
2,500:¥3.729
参考库存:19705
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1015N/FM2F///REEL 13 Q2 DP
1:¥157.9062
5:¥150.9906
10:¥145.6909
25:¥127.0911
参考库存:6312
晶体管
达林顿晶体管 PNP Si Transistor Darlington
1:¥5.8421
10:¥4.8251
100:¥3.1075
1,000:¥2.486
2,000:¥2.486
参考库存:38484
晶体管
IGBT 模块 1200V 100A IGBT
1:¥1,153.1424
5:¥1,130.4746
10:¥1,077.7601
参考库存:4231
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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