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产品分类

晶体管
QPD1022SR参考图片

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QPD1022SR

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-12GHz 10W 32V GaN
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库存:42,395(价格仅供参考)
数量单价合计
100
¥206.2363
20623.63
200
¥191.7949
38358.98
500
¥178.3479
89173.95
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
24 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
32 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 2.8 V
Id-连续漏极电流
610 mA
输出功率
10 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
Pd-功率耗散
13.8 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
QFN-16
封装
Reel
工作频率
DC to 12 GHz
系列
QPD1022
商标
Qorvo
开发套件
QPD1022EVB01
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP PNP 5A 50V
1:¥7.1416
10:¥6.0907
100:¥4.6782
500:¥4.1358
参考库存:5880
晶体管
MOSFET 20V N-Ch P-Ch FET 8.0Vgs 125mW
1:¥3.9211
10:¥3.3335
100:¥2.1018
1,000:¥1.5707
8,000:¥1.2543
24,000:查看
参考库存:35747
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor Hfe 120-240
1:¥3.2996
10:¥2.9945
100:¥1.9775
1,000:¥0.66105
4,000:¥0.54579
8,000:查看
参考库存:36769
晶体管
MOSFET N-channel 650 V, 0.117 Ohm typ., 24 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
1:¥24.2837
10:¥20.5886
100:¥17.8314
250:¥16.9839
参考库存:5336
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
1:¥6.2263
10:¥5.1867
100:¥3.3448
1,000:¥2.6781
2,000:¥2.6781
参考库存:20688
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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