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晶体管
HGT1S20N60C3S9A参考图片

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HGT1S20N60C3S9A

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库存:43,096(价格仅供参考)
数量单价合计
800
¥15.9104
12728.32
2,400
¥15.142
36340.8
4,800
¥14.5205
69698.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-263AB-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.4 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
45 A
Pd-功率耗散
164 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
HGT1S20N60C3S
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
45 A
高度
4.83 mm
长度
10.67 mm
宽度
9.65 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
15 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
800
子类别
IGBTs
单位重量
1.312 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET SuperFET2, 380mohm
1:¥16.5206
10:¥14.0572
100:¥11.2209
500:¥9.831
参考库存:6996
晶体管
MOSFET N-Ch 800 Volt 5.2 A Zener SuperMESH
1:¥19.3682
10:¥16.4415
100:¥13.221
500:¥11.526
参考库存:12983
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) High Volt NPN Trans 700Vces 400Vceo 3A
1:¥3.842
10:¥3.1301
100:¥1.9097
1,000:¥1.4803
参考库存:20330
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 12V PNP SuperSOT4
1:¥4.3053
10:¥3.5708
100:¥2.3052
1,000:¥1.8419
3,000:¥1.8419
参考库存:9877
晶体管
MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 9mOhms 27nC
1:¥11.6842
10:¥9.9101
100:¥7.6727
500:¥6.78
800:¥5.3449
参考库存:8099
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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