您好!欢迎来到万象现货芯城 登录 注册

产品分类

晶体管
HGT1S20N60C3S9A参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

  • 分享到:
  • 0

HGT1S20N60C3S9A

购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式,3分钟内即可给您回复
  • 公司名:
  • *联系人:
  • *电话:
  • *邮箱:
   微信:      QQ:
库存:43,096(价格仅供参考)
数量单价合计
800
¥15.9104
12728.32
2,400
¥15.142
36340.8
4,800
¥14.5205
69698.4
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-263AB-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.4 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
45 A
Pd-功率耗散
164 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
HGT1S20N60C3S
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
45 A
高度
4.83 mm
长度
10.67 mm
宽度
9.65 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
15 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
800
子类别
IGBTs
单位重量
1.312 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET T8 80V U8FL
1:¥10.3734
10:¥8.8366
100:¥6.78
500:¥5.989
1,500:¥4.1923
9,000:查看
参考库存:12164
晶体管
MOSFET N-channel TrenchMOS standard level FET
800:¥7.9891
4,800:¥7.9891
9,600:¥7.6388
参考库存:27891
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP DIGITAL TRANSISTOR (B
1:¥2.6894
10:¥2.0453
100:¥1.10627
1,000:¥0.82942
8,000:¥0.66896
24,000:查看
参考库存:27896
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SS SC59 BR XSTR NPN SPCL
3,000:¥0.37629
12,000:¥0.37629
24,000:¥0.35369
45,000:¥0.32996
参考库存:124676
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 10W TO270-2GN
1:¥168.3587
5:¥160.9798
10:¥155.2959
25:¥135.5435
500:¥116.8759
参考库存:27903
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

深圳市仓实科技有限公司

电话:13267088774

Email: service@cangshixc.com

Q Q:

地址:深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦3104


微信联系我们

Copyright © 2026 深圳市仓实科技有限公司版权所有 粤ICP备2025417305号

24小时在线客服
热线电话

13267088774

微信联系我们 微信扫码联系我们