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晶体管
IHW20N120R3FKSA1参考图片

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IHW20N120R3FKSA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Body
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库存:2,443(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥30.962
30.962
10
¥26.2838
262.838
100
¥22.826
2282.6
250
¥21.6734
5418.35
500
¥19.436
9718
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.48 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
40 A
Pd-功率耗散
310 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
RC
封装
Tube
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IHW20N120R3 IHW2N12R3XK SP000437702
单位重量
5.420 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 200A
1:¥772.7844
5:¥758.6368
10:¥724.443
25:¥700.3175
参考库存:1761
晶体管
MOSFET AUTO -55V 1 P-CH HEXFET 175mOhms
1:¥10.1474
10:¥8.6784
100:¥6.667
500:¥5.8986
参考库存:16078
晶体管
IGBT 晶体管 600V/35A FAST IGBT FSII T
1:¥32.1146
10:¥27.2782
100:¥23.6622
250:¥22.4418
500:¥20.1366
参考库存:1870
晶体管
MOSFET NMOS PWR56 40V 4.4 MOHM
1:¥9.6841
10:¥8.2264
100:¥6.3054
500:¥5.5709
3,000:¥3.8985
9,000:查看
参考库存:10792
晶体管
MOSFET Dual PCh Digital
1:¥3.9211
10:¥3.0397
100:¥1.6498
1,000:¥1.2317
3,000:¥1.06785
参考库存:421734
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    4小时快速发货

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