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晶体管
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IPP80N08S207AKSA1

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库存：43,948(价格仅供参考)
数量单价合计
500
¥12.1362
6068.1
1,000
¥10.0683
10068.3
2,500
¥9.379
23447.5
5,000
¥8.9948
44974
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
75 V
Id-连续漏极电流
80 A
Rds On-漏源导通电阻
5.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
180 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
300 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
OptiMOS
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
30 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
50 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
61 ns
典型接通延迟时间
26 ns
零件号别名
IPP80N08S2-07 IPP8N8S27XK SP000219040
单位重量
6 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
APTGLQ100H65T3G
Microsemi
晶体管
IGBT 模块
100:¥579.2154
参考库存:38530
STFU25N60M2-EP
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220FP ultra narrow leads package
1:¥47.799
10:¥40.567
100:¥35.1882
250:¥33.3463
参考库存:3925
PXAC200902FC-V1-R0
Wolfspeed / Cree
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥408.8679
参考库存:38537
A2T18S166W12SR3
NXP Semiconductors
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T18S166W12S/CFM4F///REEL 13 Q2 NDP
250:¥405.6361
参考库存:38542
2SA2154MFV-Y(TPL3)
Toshiba
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) -150mA -50V
暂无价格
参考库存:38547

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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