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晶体管
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CGHV60170D

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 170 Watt
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制：
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
18 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
50 V
Vgs-栅源极击穿电压
-
Id-连续漏极电流
12.6 A
输出功率
170 W
最大漏极/栅极电压
-
最小工作温度
-
最大工作温度
-
Pd-功率耗散
-
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
Die
封装
Gel Pack
应用
-
高度
100 um
长度
5400 um
工作频率
6 GHz
工作温度范围
-
产品
GaN HEMT
宽度
820 um
商标
Wolfspeed / Cree
正向跨导 - 最小值
-
闸/源截止电压
-
通道数量
8 Channel
类
-
开发套件
-
下降时间
-
NF—噪声系数
-
P1dB - 压缩点
-
产品类型
RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻
-
上升时间
-
工厂包装数量
10
子类别
Transistors
典型关闭延迟时间
-
Vgs th-栅源极阈值电压
-
零件号别名
CGHV60170D-GP4
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TSM7P06CP ROG
Taiwan Semiconductor
晶体管
MOSFET 60V 7A P channel Power Mosfet
1:¥4.6895
10:¥4.0002
100:¥2.9945
500:¥2.1922
2,500:¥1.5029
5,000:查看
参考库存:27027
IPP65R190C7FKSA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥22.2045
10:¥18.8258
100:¥15.0629
500:¥13.221
参考库存:2874
RSH070P05TB1
ROHM Semiconductor
晶体管
MOSFET Pch -45V -7A MOSFET
1:¥12.0684
10:¥10.2152
100:¥8.2264
500:¥7.1642
2,500:¥5.5257
5,000:查看
参考库存:11511
SIA445EDJ-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70
1:¥4.9155
10:¥3.9776
100:¥3.0171
500:¥2.486
3,000:¥2.486
参考库存:130333
IRG4BC40UPBF
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 600V UltraFast 8-60kHz
1:¥29.041
10:¥24.6679
100:¥21.357
250:¥20.2835
参考库存:8130

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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