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晶体管
IRF640NSTRRPBF参考图片

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IRF640NSTRRPBF

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 150mOhms 44.7nC
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库存：3,550(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥10.8367
10.8367
10
¥9.2208
92.208
100
¥7.1303
713.03
500
¥6.3054
3152.7
800
¥4.972
3977.6
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
D2PAK-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
200 V
Id-连续漏极电流
18 A
Rds On-漏源导通电阻
150 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
44.7 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
150 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
晶体管类型
1 N-Channel
类型
HEXFET Power MOSFET
宽度
6.22 mm
商标
Infineon / IR
正向跨导 - 最小值
6.8 S
下降时间
5.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
19 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
23 ns
典型接通延迟时间
10 ns
零件号别名
SP001561802
单位重量
4 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
N0604N-S19-AY
Renesas Electronics
晶体管
MOSFET MOSFET
1:¥12.4526
10:¥11.30
25:¥10.0683
100:¥9.0626
参考库存:56918
JAN2N2218
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
223:¥38.9624
250:¥35.1204
500:¥31.5044
1,000:¥26.5889
参考库存:56923
MX2N4858
Microsemi
晶体管
JFET JFET
1:¥623.0933
2:¥610.7989
5:¥604.1884
10:¥585.2948
参考库存:56928
RM3010-T
Rectron
晶体管
MOSFET SOP-8 MOSFET
5,000:¥1.01474
10,000:¥0.92208
25,000:¥0.90626
参考库存:56933
JANTXV2N5109UB
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥2,426.223
参考库存:56938

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

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