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晶体管
BSM100GB120DLCK参考图片

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BSM100GB120DLCK

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库存:1,815(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥761.0211
761.0211
5
¥747.043
3735.215
10
¥713.3803
7133.803
25
¥689.639
17240.975
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.1 V
在25 C的连续集电极电流
205 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
835 W
封装 / 箱体
32 mm
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
30.5 mm
长度
94 mm
宽度
34 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
BSM100GB120DLCKHOSA1 SP000095924
单位重量
160 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 500mA 300V PNP
1:¥1.8419
10:¥1.2091
100:¥0.50737
1,000:¥0.34578
3,000:¥0.26894
参考库存:57302
晶体管
达林顿晶体管 NPN Epitaxial Darl
1:¥5.1528
10:¥4.2601
100:¥2.7459
1,000:¥2.2035
参考库存:23189
晶体管
达林顿晶体管 PNP Silicon Darl
1:¥5.0737
10:¥4.2375
100:¥2.7346
1,000:¥2.1809
2,000:¥1.8419
参考库存:20931
晶体管
MOSFET SWITCHING DEVICE
1:¥5.6839
10:¥4.7234
100:¥3.051
1,000:¥2.4408
3,000:¥2.0566
参考库存:25713
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Epitaxial Sil
1:¥6.3732
10:¥5.2658
100:¥3.4013
1,000:¥2.7233
参考库存:14765
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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