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晶体管
CG2H80060D-GP4参考图片

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CG2H80060D-GP4

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-8.0GHz, 60 Watt
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制:
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
15 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
120 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 10 V, 2 V
Id-连续漏极电流
6 A
输出功率
60 W
最大漏极/栅极电压
-
最大工作温度
+ 225 C
Pd-功率耗散
-
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
Die
封装
Gel Pack
工作频率
DC to 8 GHz
商标
Wolfspeed / Cree
正向跨导 - 最小值
-
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
10
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3.8 V
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 20V Vds 12V Vgs PowerPAK SO-8
3,000:¥5.198
6,000:¥5.0059
9,000:¥4.8138
参考库存:38120
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP High Gain & Crnt
4,000:¥3.7064
参考库存:38125
晶体管
MOSFET N-Ch 30 Volt 70 Amp
1,000:¥11.8311
2,000:¥11.2209
5,000:¥10.8367
参考库存:38130
晶体管
IGBT 模块 N-CH 600V 20A
40:¥148.9905
120:¥133.1592
280:¥127.012
520:¥120.9439
参考库存:38135
晶体管
MOSFET 500V N-Channel QFET
450:¥30.962
900:¥27.7415
1,350:¥23.4362
2,700:¥22.2836
参考库存:38140
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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