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晶体管
CG2H80060D-GP4参考图片

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CG2H80060D-GP4

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-8.0GHz, 60 Watt
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制：
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
15 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
120 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 10 V, 2 V
Id-连续漏极电流
6 A
输出功率
60 W
最大漏极/栅极电压
-
最大工作温度
+ 225 C
Pd-功率耗散
-
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
Die
封装
Gel Pack
工作频率
DC to 8 GHz
商标
Wolfspeed / Cree
正向跨导 - 最小值
-
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
10
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3.8 V
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2N5795/TR
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥259.335
200:¥242.046
参考库存:51618
JANTX2N3998
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥1,150.7581
参考库存:51623
JAN2N3440L
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥106.3443
250:¥96.9766
500:¥90.7503
1,000:¥83.2132
参考库存:51628
STGIPL20K60
STMicroelectronics
晶体管
IGBT 模块 SLLIMM IPM 3-Phase 20A 600V IGBT
1:¥160.1323
5:¥158.4486
10:¥147.691
25:¥141.0805
参考库存:2496
STI270N4F3
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-Ch, 40V-2.1ohms 160A
1:¥33.1203
10:¥28.1257
100:¥24.3628
250:¥23.1311
参考库存:6898

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    50万现货SKU

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