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晶体管
CG2H80060D-GP4参考图片

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CG2H80060D-GP4

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-8.0GHz, 60 Watt
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制:
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
15 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
120 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 10 V, 2 V
Id-连续漏极电流
6 A
输出功率
60 W
最大漏极/栅极电压
-
最大工作温度
+ 225 C
Pd-功率耗散
-
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
Die
封装
Gel Pack
工作频率
DC to 8 GHz
商标
Wolfspeed / Cree
正向跨导 - 最小值
-
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
10
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3.8 V
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFT PCh -150V -0.7A 2400mOhm 6nC
1:¥4.8364
10:¥4.0228
100:¥2.4634
1,000:¥1.8984
4,000:¥1.6159
参考库存:69971
晶体管
MOSFET 60V LO INPT CURR SELF PROT LO SD SWCH
1:¥7.5258
10:¥6.4523
100:¥4.9607
500:¥4.3844
1,000:¥3.4578
参考库存:18218
晶体管
MOSFET NFET 3X3 20V 3.0A 9MOHM
1:¥7.6049
10:¥6.4523
100:¥4.9607
500:¥4.3844
1,000:¥3.4578
3,000:¥3.0623
参考库存:18020
晶体管
MOSFET MOSFT DUAL N/PCh 30V 2.4A Micro 8
1:¥4.9946
10:¥4.1697
100:¥2.6894
1,000:¥2.147
4,000:¥1.8193
参考库存:14297
晶体管
MOSFET PT8P Z -30V/-25V ZENER ER
1:¥16.7466
10:¥14.2154
100:¥11.3678
500:¥9.9101
3,000:¥7.684
6,000:查看
参考库存:16029
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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