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晶体管
CG2H80060D-GP4参考图片

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CG2H80060D-GP4

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-8.0GHz, 60 Watt
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制：
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
15 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
120 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 10 V, 2 V
Id-连续漏极电流
6 A
输出功率
60 W
最大漏极/栅极电压
-
最大工作温度
+ 225 C
Pd-功率耗散
-
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
Die
封装
Gel Pack
工作频率
DC to 8 GHz
商标
Wolfspeed / Cree
正向跨导 - 最小值
-
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
10
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3.8 V
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SQ4425EY-T1_GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified
1:¥13.6052
10:¥11.30
100:¥8.7575
500:¥7.6275
2,500:¥7.6275
参考库存:13157
STW28N65M2
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-247 package
1:¥21.2101
10:¥18.0574
100:¥15.6731
250:¥14.8256
参考库存:41604
STB35N65DM2
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-channel 650 V, 0.094 Ohm typ., 28 A MDmesh DM2 Power MOSFETs in TO-247 package
1:¥43.1095
10:¥36.6572
100:¥31.7304
250:¥30.1258
1,000:¥22.7469
2,000:查看
参考库存:1511
2N2907AE4
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
1:¥49.4827
10:¥39.7986
100:¥36.273
250:¥32.7361
参考库存:2298
C3M0030090K
Wolfspeed / Cree
晶体管
MOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 30mOhm
1:¥225.3672
100:¥216.7679
参考库存:7780

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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