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晶体管
PN3643参考图片

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PN3643

  • Central Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Gen Pur SW
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数量单价合计
1
¥4.7686
4.7686
10
¥4.0002
40.002
100
¥2.5086
250.86
1,000
¥1.8871
1887.1
2,500
¥1.6046
4011.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Central Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
30 V
集电极—基极电压 VCBO
60 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
0.22 V
最大直流电集电极电流
0.5 A
增益带宽产品fT
250 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 125 C
系列
PN36
高度
5.33 mm
长度
5.21 mm
封装
Bulk
宽度
4.19 mm
商标
Central Semiconductor
集电极连续电流
0.45 A
Pd-功率耗散
350 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
Transistors
零件号别名
PBFREE PN3643
单位重量
453.600 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 30V 202A 125W 1.9mohm @ 10V
3,000:¥13.5261
6,000:¥13.0628
参考库存:37317
晶体管
MOSFET -100V, -12A, P Chann el Mosfet
30,000:¥2.8815
参考库存:37322
晶体管
MOSFET Hi Switching Speed High Voltage
1,000:¥35.2673
2,000:¥34.4198
参考库存:37327
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch 900W 100V RF Mosfet in STAC pack
80:¥724.1379
参考库存:37332
晶体管
MOSFET 30V 12A 52W 12.5mohm @ 10V
1:¥15.2098
10:¥12.6786
100:¥9.831
500:¥8.6106
3,000:¥6.6444
6,000:查看
参考库存:37337
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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