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晶体管
ZVN4206ASTZ参考图片

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ZVN4206ASTZ

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库存:4,827(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥5.3788
5.3788
10
¥4.5313
45.313
100
¥2.9154
291.54
1,000
¥2.3391
2339.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
600 mA
Rds On-漏源导通电阻
1.5 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
700 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Bulk
高度
4.01 mm
长度
4.77 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
ZVN4206
晶体管类型
1 N-Channel
类型
FET
宽度
2.41 mm
商标
Diodes Incorporated
下降时间
12 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
12 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
12 ns
典型接通延迟时间
8 ns
单位重量
453.600 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Power MOSFET, N-CHAN 600V, 8A, 600mOhm
1:¥14.2154
10:¥12.8368
100:¥10.3734
500:¥8.0682
参考库存:3577
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Hi-Pwr Amp
1:¥46.4882
10:¥41.5727
100:¥37.8776
250:¥34.1938
500:¥27.6624
参考库存:3994
晶体管
MOSFET -100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥17.8314
10:¥14.8256
100:¥11.526
500:¥10.0683
1,000:¥8.3733
3,000:¥8.3733
参考库存:148476
晶体管
MOSFET Power MOSFET, N-CHL, 30V, 61A, 8.8mOhm
1:¥5.2997
10:¥4.6895
100:¥3.5934
500:¥2.6555
2,500:¥1.8758
5,000:查看
参考库存:3583
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 30MHZ-3GHz 5W 50 Ohm Gain 18dB@2GHz 32V
1:¥345.78
25:¥307.36
100:¥268.94
250:¥245.888
参考库存:4375
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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