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晶体管
SIHG11N80E-GE3参考图片

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SIHG11N80E-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 800V Vds 30V Vgs TO-247AC
  • 数据手册下载
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库存:4,306(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥31.6626
31.6626
10
¥26.2838
262.838
100
¥21.5943
2159.43
250
¥20.905
5226.25
500
¥18.7467
9373.35
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247AC-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
12 A
Rds On-漏源导通电阻
380 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
88 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
179 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
系列
E
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
4.5 S
下降时间
18 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15 ns
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
55 ns
典型接通延迟时间
18 ns
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-CH 950V 2Ohm typ 3.5A Zener-protected
1:¥15.594
10:¥13.221
100:¥10.5994
500:¥9.2208
参考库存:1851
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 600mA 40V
1:¥3.1527
10:¥1.7515
100:¥0.9379
500:¥0.75258
3,000:¥0.43844
9,000:查看
参考库存:23668
晶体管
MOSFET N-Channel MOSFET, SOT-23 package
1:¥4.3053
10:¥3.1188
100:¥1.8419
1,000:¥0.80682
30,000:¥0.52206
48,000:查看
参考库存:62665
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 625mW, 25V, 1.5A
1:¥1.6159
10:¥1.3334
100:¥0.46895
1,000:¥0.32318
3,000:¥0.23843
参考库存:1045347
晶体管
MOSFET N-CH 600V 0.255Ohm 13A MDmesh M2
1:¥18.3625
10:¥15.594
100:¥12.5204
500:¥10.9158
参考库存:6719
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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