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晶体管
IPD50N10S3L-16参考图片

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IPD50N10S3L-16

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 100V 50A DPAK-2 OptiMOS-T
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库存：104,014(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥10.5994
10.5994
10
¥8.9948
89.948
100
¥6.9608
696.08
500
¥6.1585
3079.25
2,500
¥4.3053
10763.25
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
50 A
Rds On-漏源导通电阻
15 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
49 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
100 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
系列
OptiMOS-T
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
29 ns
典型接通延迟时间
10 ns
零件号别名
IPD50N10S3L16ATMA1 IPD5N1S3L16XT SP000386185
单位重量
400 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2N5052
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥249.0407
5:¥237.8198
10:¥230.4409
25:¥211.6942
参考库存:52262
RN2104MFV(TPL3)
Toshiba
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA -50volts 3Pin 4.7K x 4.7Kohms
暂无价格
参考库存:52267
JAN2N2484UB
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
100:¥124.9441
250:¥113.9492
500:¥106.5816
参考库存:52272
SSM3J117TU(TE85L)
Toshiba
晶体管
MOSFET Vds=-30V Id=-2A 3Pin
暂无价格
参考库存:52277
STP150N10F7
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-Ch 100V 0.0036Ohm typ. 110A
1:¥24.8148
10:¥21.0519
100:¥18.2834
250:¥17.289
参考库存:7465

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    50万现货SKU

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