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晶体管
BSZ058N03MSGXT参考图片

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BSZ058N03MSGXT

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M
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库存：26,677(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.4523
6.4523
10
¥5.3675
53.675
100
¥3.4578
345.78
1,000
¥2.7685
2768.5
5,000
¥2.3391
11695.5
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
40 A
Rds On-漏源导通电阻
4.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
40 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
45 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
3.3 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.3 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
35 S
下降时间
3 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3.8 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
24 ns
典型接通延迟时间
6 ns
零件号别名
BSZ058N03MS BSZ058N03MSGATMA1 G SP000311508
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JAN2N3637UB
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
100:¥140.007
250:¥127.6335
500:¥119.4071
参考库存:49527
STD3NK60Z-1
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-Ch, 600V-3.3ohms Zener SuperMESH 2.4A
1:¥6.6896
10:¥5.5596
100:¥3.5821
1,000:¥2.8702
参考库存:49532
TSM250N02DCQ RFG
Taiwan Semiconductor
晶体管
MOSFET 20V Dual N-Channel MOSFET
1:¥4.1471
10:¥3.5369
100:¥2.6329
500:¥1.9323
3,000:¥1.3221
6,000:查看
参考库存:49537
JAN2N6298
Microsemi
晶体管
达林顿晶体管 Power BJT
100:¥274.0928
250:¥255.7981
参考库存:49542
MMDT3904-G
Comchip Technology
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
1:¥3.5369
10:¥2.0453
100:¥1.06785
1,000:¥0.7458
3,000:¥0.61472
参考库存:49547

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

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